英诺赛科今日在港招股氮化镓功率半导体新星升起

香港, 2024年12月18日 - (亚太商讯) - 12月9日，中央政治局会议指，要以科技创新引领新质生产力发展，建设现代化产业体系。以半导体为代表的硬科技兼具「经济顺周期」与「新质生产力」的双重特征，在国家政策大力扶持下，复苏趋势逐渐明朗，各细分板块投资机遇显现。

作为最新一代半导体材料，氮化镓近年来已广泛应用于各行各业，不仅将在功率半导体行业的持续变革中发挥关键作用，也有望诞生第一家港股上市公司。12月18日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（下称「英诺赛科」或「公司」，2577.HK）启动港股招股，拟全球发行45,364,000股H股，最高发行价每股33.66港元，并预期于12月30日登陆港交所主板。中金公司、招银国际为联席保荐人。

氮化镓行业步入繁荣期竞争护城河高筑

经历了发展初期、发展期、商业化期等多个阶段后，随着氮化镓技术越趋成熟以及下游应用范围更为广泛，氮化镓功率半导体行业于2023年迎来大爆发，市场规模达到人民币18亿元（根据弗若斯特沙利文），开启指数级增长的高景气周期。预计到2028年，全球氮化镓功率半导体的市场规模将达人民币501亿元，占全球功率半导体市场的份额将从2023年的0.5%提升至10.1%，占全球功率半导体分立器件市场比例从2023年的1.4%提升至24.9%，前景极为广阔。

成立于2017年的英诺赛科，正着力推动全球功率半导体行业的创新，其既是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的企业，也是全球唯一具备全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品量产能力的公司。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计，英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。

截至2024年6月30日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月12,500片晶圆。每晶圆的晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%，证明公司在氮化镓产品持续创新及商业化方面具成本优势和领导地位。

尖端技术巩固前沿地位商业化提速推动收入高增

凭藉卓越的技术实力，英诺赛科核心技术攻关成功取得突破，并巩固了其在氮化镓半导体行业的前沿地位。2021年至2024年上半年，公司累计研发开支达人民币17.37亿元。截至2024年6月30日，公司在全球有319项专利，另有430项专利在途申请中，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

从技术创新到建立市场领导地位的过程，则有赖于出色的商业化能力。通过将量产能力与先进的制造工艺相结合，进而转化为显着的先发优势，英诺赛科成为世界上首家在产业规模上商业化8英吋硅基氮化镓晶圆的公司。截至2024年6月30日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过8.50亿颗。

迄今，英诺赛科的氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，助力公司实现强劲的收入增长。于2021年、2022年、2023年，公司分别实现收入约人民币6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元，复合年增长率为194.8%。于2024年上半年，录得收入约人民币3.86亿元，同比增长25.2%，且达到2022年全年收入的2.82倍。

以氮化镓产品为核心，通过创新和广泛的行业合作，扩大氮化镓产品的应用，建立一个强大而丰富的行业生态系统，将是英诺赛科的长期发展重点。伴随商业化进程的有序推进，公司也将持续提升竞争力，在全球新一轮能源革命中奋发作为。